從半導體材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)。
半導體行業(yè)中有“一代材料、一代技術(shù)、 一代產(chǎn)業(yè)”的說法。
與一些人對“工業(yè)王冠上的鉆石”生產(chǎn)制造上的斷言相似，在芯片制造中，材料若缺席，技術(shù)充其量就是一紙PPT，無法落地為產(chǎn)品。
隨著以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體應用技術(shù)的進步，5G、毫米波通訊、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關鍵核心器件的性能將獲得質(zhì)的提升。
以氮化鎵材料切入電源管理應用為標志，第三代半導體的“超級風口”已呼嘯而至。
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